1. 鉭電容的浪涌電壓

　　鉭電容的浪涌電壓是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms（CECC 國家1KΩ）能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內(nèi)可達(dá)到高達(dá)10 倍額度電壓并高達(dá)30 秒的時(shí)間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計(jì)的依據(jù)，在正常運(yùn)行過程中，電容應(yīng)定期充電和放電。

　　不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時(shí)，分類電壓VC 等于額定電壓VR，浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍；在85 到125 度時(shí)，分類電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類電壓VC 的1.3 倍。

　　AVX 鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會穿過電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6 伏的鉭電容在額定電壓運(yùn)行時(shí)，有一個(gè)167 千伏/毫米電壓的電場。因此一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會超過規(guī)定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負(fù)極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。AVX 公司推薦降級表總結(jié)額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，保護(hù)電阻建議為1Ω/ V.如果達(dá)不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。 A 系列組合應(yīng)被用來增加工作電壓的等效電容器：例如，兩個(gè)22μF25V 系列部分相當(dāng)于一個(gè)11μF50V 的一部分。

　　2. 鉭電容的反向電壓

　　AVX 鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的限制的，具體如下：

　　在1.0V 25° C 條件下最大為10%的額定直流工作電壓在0.5V 85° C 條件下最大為3%的額定直流工作電壓在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)間上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。

　　在在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能會出現(xiàn)兩個(gè)類似的電容應(yīng)采用與負(fù)端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱電容的電容的一半無論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個(gè)周期內(nèi)，電容可能的方法完整的標(biāo)稱值。反向電壓等級的設(shè)計(jì)蓋小級別游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯(cuò)極性。引用的值是不打算覆蓋連續(xù)的反向操作。

　　3. 鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）------又稱紋波電壓

　　這是最大的r.m.s.交流電壓；疊加一個(gè)特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過該類別電壓。

　　4. 鉭電容的成型電壓

　　這是在陽極氧化形成的電壓。 “這個(gè)氧化層的厚度是形成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設(shè)置額定電壓的一個(gè)因素。